俄罗斯远东联邦大学科研工作者奥列格作为俄日美德国际研究团队的一员，发现斯格明子霍尔效应（skyrmion Hall effect），这使得制造更高速、廉价、可靠、非易失性的电子储存器成为可能。
科学家们的工作成果发布在《自然》杂志上。奥列格称，“斯格明子”可能是未来磁存储技术的基础。斯格明子的间距可仅为几纳米，与此同时，现代硬盘的磁畴最少为100纳米。此外，以斯格明子为基础的内存甚至可在缺少电源的情况下保存信息。
奥列格的同事、俄罗斯远东联邦大学的亚历山大解释说，现在科学家们已在基于斯格明子研发新的数据储存和处理系统。这样的储存器元件造价更低，并且工作速度更快，更可靠。未来它们可用于生产电脑、智能手机以及能够长时间工作无需充电的传感器。
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