第三代半导体“潜力股”

除了碳化硅及氮化镓外，第三代半导体还有多款材料凭借其优异性能，有望成为未来半导体产业“潜力股”。

1.氮化铝（AlN）

氮化铝（AlN）可以广泛应用于光电子领域。与砷化镓等材料相比，其覆盖的光谱带宽更大，尤其适合从深紫外到蓝光方面的应用，是制作先进高功率发光器件(LED、LD)、紫外探测器以及高功率高频电子器件的理想衬底材料。目前国外在AlN单晶材料发展方面，以美国、日本的发展水平为最高。美国的TDI公司是目前完全掌握HVPE法制备AlN基片技术，并实现产业化的唯一单位。日本的AlN技术研究单位主要有东京农工大学、三重大学、NGK公司、名城大学等，已经取得了一定成果，但还没有成熟的产品出现。另外，俄罗斯的约菲所、瑞典的林雪平大学在HVPE法生长AlN方面也具有一定的研究水平。

2.金刚石

金刚石是碳结晶为立方晶体结构的一种材料，是已知材料中硬度最高的。金刚石集力学、电学、热学、声学、光学、耐蚀等优异性能于一身，最有发展潜力。依据金刚石优良的特性，其应用十分广泛，除传统的用于工具材料外，还可用于微电子、光电子、声学、传感等电子器件领域。

3.氧化锌（ZnO）

氧化锌（ZnO）既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。它既适合制作高效率蓝色、紫外发光和探测器等光电器件，还可用于制造气敏器件、表面声波器件、透明大功率电子器件、发光显示和太阳能电池的窗口材料以及变阻器、压电转换器等。相对于GaN，ZnO制造LED、LD更具优势。具预计，ZnO基LED和LD的亮度将是GaN基LED和LD的10倍，而价格和能耗则只有后者的1/10。据报道，日本已生长出直径达2英寸的高质量ZnO单晶；我国有采用CVT法已生长出了直径32mm和直径45mm、4mm厚的ZnO单晶。